如何挖掘NAND Flash的IO性能

所以，从上述的描述来看，虽然两个Plane之间的数据寄存器是完全独立的，但是，操作寄存器是共享的，可以让读写和擦除操作在这两个Plane上并发执行。但是，这种并发操作的条件是两个Plane必须同时进行相同的操作。而不是两个Plane可以随意、独立、并发执行不同的操作。这就是两个Plane并发操作的局限，但是即使是这样，如果软件层能够设计好的算法，能够充分的让多个Plane并发执行，那么IO性能还是可以大幅度的提升。

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在NAND Flash芯片中，一个真正的独立并发单元是Die。以MT29F128G为例，一个Device内部有两个Die，在芯片内部，这两个Die拥有独立的操作寄存器、状态信号线，对外的控制、状态信号线是共享的。在这种情况下，芯片提供了一种Interleave的操作方式，可以完全并发这两个Die的读写、擦除操作。下图是两个Die的并发读时序图：

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从上图可以看出，两个Die内部拥有独立R/B#信号线，对外的状态信号线是内部状态信号的“逻辑与”结果。两个Die的操作可以独立、并发，只不过由于共享对外接口，因此在数据输出时还需要串行化。

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Interleave的并发写时序如下图所示：

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和并发读操作类似，两个Die可以完全独立的并发执行写操作。

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在Device级别这种并发操作显得更加随意。不同的Device拥有完全独立的对外接口，因此，两个Device可以同时执行独立的操作。

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综上而言，在NAND Flash芯片内部有3种并发执行单元，分别是Device、Die和Plane。其中Plane是数据寄存器独立，因此，多个Plane之间可以并发的执行相同的操作；Die拥有独立的操作寄存器、独立的内部状态信号线，共享外部接口，因此，多个Die之间可以独立并发操作；Device之间拥有独立的控制、数据信号线，因此，多个Device之间可以随意并发。利用好NAND Flash芯片内部的这些并发单元，可以很好的提升闪存存储的IO性能。

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转载自：http://alanwu.blog.51cto.com/3652632/1544227

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（编辑：淮北站长网）

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