三星再次展示3nm芯片工艺，预估2022年量产
发布时间：2021-10-28 10:53:35 所属栏目：大数据 来源：互联网
导读：近日，在IEEEISSCC国际固态电路大会上，三星展示其采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片。该芯片使用的屙屎MBCFET，面积56平方毫米，功耗低，写入电流只需0.23V。据透露，三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他
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近日，在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星展示其采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片。该芯片使用的屙屎MBCFET，面积56平方毫米，功耗低，写入电流只需0.23V。
据透露，三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。
GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。 （编辑：淮北站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
